台積電發表了包括支援更佳功耗、效能與密度的強化版N3P製程、為高效能運算應用量身打造的N3X製程、以及支援車用客戶及早採用業界最先進製程技術的N3AE解決方案。
台積電北美技術論壇於美國加州聖塔克拉拉市舉行，共計超過1600位客戶及合作夥伴報名參與，為接下來幾個月陸續登場的全球技術論壇揭開序幕。本技術論壇亦設置創新專區，展示18家新興客戶令人期待的創新技術。
台積電總裁魏哲家表示：「我們的客戶從未停止尋找新方法，以利用晶片的力量為世界帶來令人驚歎的創新，並創造更美好的未來。憑藉著相同的精神，台積公司也持續成長進步，加強並推進我們的製程技術，提高效能、功耗效率及功能性，協助客戶在未來持續釋放更多的創新。」
技術論壇主要的技術焦點包括：更廣泛的3奈米技術組合：N3P、N3X、以及N3AE – 隨著N3製程已進入量產，強化版N3E製程預計將於2023年量產，台積電推出更多3奈米技術家族成員以滿足客戶多樣化的需求。
N3P預計於2024年下半年進入量產，相較於N3E，在相同漏電下，速度增快5%；在相同速度下，功耗降低5-10%，晶片密度增加4%。
N3X著重於效能與最大時脈頻率以支援高效能運算應用，相較於N3P，在驅動電壓1.2伏特下，速度增快5%，並擁有相同的晶片密度提升幅度，預計於2025年進入量產。
N3AE將提供以N3E為基礎的汽車製程設計套件（PDK），預計於2023年推出，讓客戶能夠提早採用3奈米技術來設計汽車應用產品，以便於2025年及時採用屆時已全面通過汽車製程驗證的N3A製程。
2奈米技術開發進展良好 – 台積公司2奈米技術採用奈米片電晶體架構，在良率與元件效能上皆展現良好的進展，將如期於2025年量產。相較於N3E，在相同功耗下，速度最快將可增加至15%；在相同速度下，功耗最多可降低30%，同時晶片密度增加大於15%。
N4PRF推進CMOS射頻技術之極限 – 在2021年推出N6RF技術後，台積公司進一步開發N4PRF，此為業界最先進的互補式金屬氧化物半導體（CMOS）射頻技術，以支援WiFi7射頻系統單晶片等數位密集型的射頻應用。相較於N6RF，N4PRF邏輯密度增加77%，且在相同速度下，功耗降低45%。
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