台積電業務開發及海外營運資深副總暨副共同營運長張曉強在上月的台積電技術論壇表示，台積電與三家HBM業者，包括SK海力士、美光以及三星都有合作，SK海力士則是HBM領導廠商，張曉強強調，要把邏輯IC與HBM結合需要許多先進技術，也還有許多問題要解決。
台積電與SK海力士於4月簽署合作備忘錄，共同開發HBM4技術，預計2026年量產，為了提高效能，SK海力士當時聲明表示，雙方針對封裝在最底層的基礎裸晶（Base Die）進行效能改善，將採用先進邏輯製程，海力士將DRAM裸晶（Core Die）堆疊在Base Die之上，透過TSV技術連接，採用台積電CoWoS先進封裝技術，達到GPU控制HBM的目標。
SK海力士也在今年4月宣布，斥資38.7 億美元在美國印第安那州興建先進記憶體封裝廠，預計2028年開始營運，生產HBM4、HBM4E等記憶體產品。
高頻寬記憶體（HBM）為各家先進技術的記憶體廠商發展重點，由於市面上的AI伺服器處理器絕大多是都是由輝達（NVIDIA）所供應，目前也僅有輝達有需求採購最先進的HBM，HBM3E（第五代HBM3E）是目前效能最優秀的AI用DRAM。美光、SK海力士以及三星去年下半年向輝達送樣8層垂直堆疊HBM3E，美光、SK海力士都已經獲得輝達驗證，但是三星仍未通過，主要是因為效能與發熱問題。
據《CNBC》報導，Alphinity Investment Management全球投資組合經理Trent Masters表示，SK海力士在HBM3處於領導地位，讓該公司有更大的競爭優勢，因為AI浪潮推升HBM需求持續大幅增加，雖然三星、美光試圖縮小技術差距，但是SK海力士在最初的HBM發展與客戶合作所取得的信任與可靠性，確保他們在客戶間可以發揮巨大影響力。他也表示，三星的問題在於，他並不是一家純記憶體廠商，有太多的部分可能會與客戶業務有所競爭。
根據調研機構集邦科技TrendForce去年底的研究報告指出，受惠於工業級伺服器記憶體 DDR5 滲透率大幅提升，2023年第三季SK海力士以市占率49.6%、銷售額18.5億美元的成績擠下三星，成為全球最大的伺服器 DRAM 廠商，而這數據還未包括HBM業務。
《路透》先前報導，雙方的競爭差距除了SK海力士率先在HBM3E市場嶄露頭角，還有雙方製程的差異，三星堅持使用TC-NCF技術，SK海力士則是採用MR-MUF技術，比起三星的良率與散熱表現都還要優異。據傳三星已經追尋SK海力士製程，就是為了要縮小雙方差距，但未獲三星證實。
黃仁勳表示，輝達將在2026年推出新一代架構平台，也就是Rubin，預計Rubin GPU將首度採用HBM4，預計採用8 顆 HBM4， Rubin Ultra GPU 則是採用 12 顆 HBM4。同時釋出 Vera CPU的消息，預計在2027年會推出Rubin Ultra GPU。無論如何，若按照輝達的發展路徑來看，無論是居於領先的SK海力士，或是產能規模還不比主要廠商的美光，甚至是目前驗證流程落後的三星，能夠在2026年之前推出讓輝達滿意，又可以符合AI晶片所需的先進封裝廠商台積電的需求，是這些先進記憶體廠商競爭的關鍵。
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