知情人士透露,此舉是限制美光、SK海力士、三星電子等主要記憶體製造商,向中國出貨高頻寬記憶體(HBM),但美國政府仍未做出最終決定。一旦實施新規限制,將涵蓋HBM2至HBM3E(第五代HBM),以及製造這些記憶體的半導體設備。知情人士透露,美光幾乎不會受到新規影響,因為在2023年中國就禁止廠商使用美光產品參與關鍵基礎建設,該公司也不再向中國出貨HBM。

知情人士指出,據傳美國政府就是打算使用FDPR來限制這些企業出貨給中國,而這些廠商生產記憶體也相當依賴像是美國的應用材料、Cadence Design Systems等半導體設備或是電子設計自動化(EDA)。目前傳出新規將於8月底生效,被該報導提及的企業則是不予置評。

中媒先前報導,中國最大的DRAM製造商長鑫存儲,正與國內的晶片封測廠商通富微電合作開發HBM,武漢新芯也打算建立一座HBM工廠,預估月產能將達到3000片12吋晶圓,預計今年2月開工。報導也指出,美國晶片禁令就是直指長鑫存儲,加上先前禁止輝達將AI晶片出口至中國,僅能提供符合規定、算力大幅被削弱的產品,也限制美國的雲端服務商與中國客戶往來,讓中國的AI發展受到極大限制。


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