中國晶片業狀況不斷！ 傳長鑫存儲因人為失誤導致數萬片晶圓報廢
【記者呂承哲／台北報導】中國半導體產業近期面臨多事之秋，不僅傳出華為白手套事件，還有美國商務部要求台積電等先進晶片技術公司禁止出口7奈米以下晶片給中國AI客戶，最新消息傳出，中國DRAM大廠長鑫存儲的合肥廠區生產線出現人為失誤，導致數萬片晶圓報廢，相關人員遭到懲處。
創見董事長束崇萬：Q3營運相對艱難 明年市場供需有望好轉
【記者呂承哲／台北報導】記憶體模組廠創見（Transcend）於今（6）日舉行法說會，創見董事長束崇萬則是在與媒體交流會針對市況進行分析，坦言第三季對創見來說，是相對艱難的一季，主要因為產業供過於求，導致價格持續下滑，加上庫存壓力加劇，使公司承受了較大的庫存損失，不過，第四季有望價格有望趨於平穩，雖然市場供給過剩的情況仍然持續，但認為明年市場供需有望好轉。
英特爾放棄Lunar Lake後記憶體進CPU封裝 郭明錤點出失敗3關鍵
【記者呂承哲／台北報導】英特爾（Intel）執行長季辛格（Pat Gelsinger）在第三季財報會議後透露，為了追求更高的利潤，Lunar Lake處理器的架構僅限這一代，引發市場熱烈討論，Panther Lake將捨棄本來設計，並減少委外代工的比重。對此，天風國際分析師郭明錤分析，由此可見，英特爾面對的挑戰不僅是製程落後，更深層的問題在於產品規劃能力。
愛普*Q3財報｜AI WAFER銷售顯著增加 毛利率升至52%
【記者呂承哲／台北報導】愛普*(6531) 5日召開法說會，公布第三季財報顯示，單季營收達新台幣12.7億元，季增35%、年增3%，毛利率提升至52%，較上季上升1個百分點，較去年同期上升11個百分點。前三季營收累計29.67億元，較去年減少3.16%，但營業毛利達14.93億元，年增幅達19.85%，每股盈餘（EPS）為6.63元，與去年相同。
創見將於electronica 2024展出新一代工業級儲存產品
【記者呂承哲／台北報導】嵌入式記憶體儲存領導品牌「創見資訊(Transcend Information, Inc.)」將參展於11月12日至11月15日在德國慕尼黑展覽中心舉行、全球規模最大的電子零組件專業雙年展electronica 2024，於Hall B4第340號攤位展示全系列工業級儲存解決方案及最新產品，全面滿足車用電子、醫療電子及嵌入式系統等應用領域的多元需求。
HBM5 20hi將採用hybrid bonding！商業模式大變化 台積電擔重任
【記者呂承哲／台北報導】隨著AI浪潮推升高頻寬記憶體（HBM）需求，HBM產品成為DRAM產業關注焦點，連帶讓hybrid bonding (混合鍵合)等先進封裝技術發展受矚目，根據調研機構集邦科技TrendForce最新調查，三大HBM原廠正在考慮是否於HBM4 16hi採用hybrid bonding，並已確定將在HBM5 20hi世代中使用這項技術。
三星半導體利潤暴減4成！狂輸2對手 陸行之：不要惹到台積電
【記者呂承哲／台北報導】南韓科技巨頭三星電子（Samsung Electronics）31日公布第三季財報，三星電子半導體部門（DS）營業利潤為3.86兆韓元，季減40%，遠遠低於市場預期，對此，資深半導體分析師陸行之表示，從各種因素評斷，「結論就是不要惹到台積電，否則死的很難看」。
力積電：印度Fab IP頭款入袋 中介層即將量產交貨
【記者呂承哲／台北報導】台、印合作建置12吋晶圓廠計畫正式啟動！晶圓代工廠力積電表示，已收到塔塔集團支付的Fab IP第一期款項，新廠設計作業將積極推進。同時，通過客戶驗證的高容值中介層（Interposer)也將量產交貨。
創見發表工業用DDR5 6400記憶體模組 提升高效能與穩定性
【記者呂承哲／台北報導】全球記憶體儲存領導品牌創見資訊 (Transcend Information, Inc.) 推出全新工業用DDR5 6400記憶體模組，模組設計符合JEDEC國際標準規範，採用Major原廠等級DRAM晶片，並通過廠內100%可靠性測試，適合用於工業自動化、智慧醫療、邊緣運算等高要求的應用場景，為工業應用提供極致的效能與可靠性。
中國最想毀台積電！張忠謀連喊「全球化已死」 謝金河曝生存關鍵
【記者呂承哲／台北報導】台積電創辦人張忠謀伉儷出席26日的台積電運動會，贏得全場歡呼，財信傳媒董事長謝金河表示，這位帶領台積電在全球攻城掠地的老英雄，已經是無人可以取代的國寶，謝金河也以「為什麼台積電是護國神山？以三星為鑑！」為題，說明台灣反而因為張忠謀所強調的「全球化已死」受惠。
十銓推出業界首款工業級記憶體模組 加強應用效率及穩定性
十銓科技工控宣布，推出業界首款工業級 DDR5 6400MHz CU-DIMM/CSO-DIMM 記憶體模組，因應高頻率對訊號穩定性的影響，導入特殊元件 CKD (client clock driver) 對時脈的訊號進行緩衝與驅動，確保訊號可以在高頻狀態下依舊穩定且完整，為工業儲存技術樹立全新的標竿。 十銓具備 DDR5 Clocked Unbuffered Dual Inline Memory Module 模組技術，可依據系統負載和運行環境調整頻率與電壓，以實現卓越的數據傳輸速度和優化的功耗表現，同時能全面支持工業應用中多變負載的需求，提供性能卓越可靠的解決方案。
HBM助攻！SK海力士Q3營收年增飆94% 喊「記憶體寒冬」外資認錯
【記者呂承哲／綜合外電】南韓記憶體大廠SK海力士近日公布第三季財報，營收來到17.57兆韓元（約為127億美元）、年增幅高達94%，創下單季歷史新高，營運利潤高達7.03兆韓元，較去年同期虧損1.8兆韓元相比轉虧為盈，還遠遠打敗市場預期，這使得先前喊出「記憶體寒冬」的外資摩根士丹利（Morgan Stanley）認錯，調高SK海力士目標價。
未來4大營運主軸！力積電推出3D AI Foundry 搶攻AI商機
【記者呂承哲／台北報導】晶圓代工廠力積電22日法說會後，與合作夥伴、記憶體矽智財（IP）廠愛普*發表3D AI Foundry策略，以多層晶圓堆疊、高容值中介層(Interposer)製造技術，成為美商AMD、一線邏輯代工廠及大型封測廠(OSAT)合作夥伴，並已透過新技術承接訂單，預計在明年下半逐步放量。
力積電Q3財報｜每股虧0.69元創新低 遭認列銅鑼P5廠拖累
【記者呂承哲／台北報導】晶圓代工廠力積電22日舉行法說會，第三季合併營收來到116.51億元，季增5％，年增12%，前三季累計營收達335.94億元，本季毛利為虧損4.89億萬元，營業淨損28.79億元，每股虧損0.69元創新低，前三季合計虧損為1.27元。力積電強調，公司仍保持344億元現金部位，總資產達1915多億元，負債1019億元，總權益895億元，財務結構穩健。
僅HBM撐大局！調研：買方去庫存化優先 Q4記憶體價格漲幅收斂
【記者呂承哲／台北報導】調研機構集邦科技TrendForce最新調查顯示，今年第三季消費型產品需求疲軟，記憶體市場主要由AI Server需求支撐，加上HBM逐漸取代部分DRAM產品產能，供應商對合約價格維持強硬立場。儘管Server OEM持續拉貨，智慧手機品牌仍在觀望。TrendForce預估，第四季記憶體整體平均價格漲幅將大幅縮減，DRAM價格增幅預計落在0%至5%，但在HBM需求增加的帶動下，整體DRAM價格可望上漲8%至13%。
2025將迎來記憶體寒冬？ 調研盤點HBM三雄表現、2大挑戰浮現
【記者呂承哲／台北報導】近期有外資報告喊出「記憶體寒冬」，市場開始擔憂AI產業將在2025年供需平衡，進而導致高頻寬記憶體（HBM）及DRAM等記憶體庫存堆高，對此，調研機構集邦科技TrendForce資深研究副總吳雅婷指出，明年廠商能否依照期望大量轉進HBM3e仍是未知數，加上量產HBM3e 12hi的學習曲線長，甚至是某些廠商的驗證進度，目前尚難判定是否會出現產能過剩態勢。
三星3奈米GAA恐虧損120億元 它建議學英特爾：將晶片製造部門拆分
【記者呂承哲／綜合外電】隨著先進製程持續推進，目前僅剩下台積電、三星以及英特爾，尤其又以台積電獲得約6成晶圓代工市占率最高，英特爾則是展開財務體質改革，晶圓代工業務（IFS）會設立子公司，讓晶片設計與製造部門分開運作，根據媒體報導，南韓證券圈認為，三星應該效法英特爾，將晶圓代工部門拆分。
SEMI：未來3年半導體設備支出將達4000億美元 中韓台貢獻前3
【記者呂承哲／台北報導】國際半導體產業協會（SEMI）近日公布最新市場研究報告，預計從2025年到2027年，全球半導體設備支出將達到創紀錄的4000億美元，主要是12吋晶圓廠的本地化行動推進以及對資料中心和邊緣裝置所使用的AI晶片需求不斷推升所致，尤其又以中國、南韓以及台灣為主。
一掃記憶體寒冬陰霾！HBM助攻美光繳出亮眼財報 盤後漲15％
【記者呂承哲／台北報導】日前摩根士丹利（大摩）研究報告突然變臉，本來看好AI拉升記憶體需求，尤其是DRAM與高頻寬記憶體（HBM）供不應求，預計市場缺口達23%，甚至將出現超級週期，沒想到現在喊出「記憶體寒冬將至」，如今，美光公布最新財報，營收年增達93%，財測也高於市場預期，並喊出HBM供不應求，讓該公司股價盤後大漲近15%。
3奈米卡關？傳三星改動平澤P4晶圓廠生產計畫 全力衝刺HBM
【記者呂承哲／綜合外電】南韓科技大廠三星電子在近期被媒體報導指出，其3奈米GAA技術良率低，甚至在年初還保持在個位數，之後才逐步爬升至20％，但仍離量產的60％水準相差甚遠，導致搭載在自家旗艦手機的Exynos 2500晶片量產出現問題。對此，有媒體報導指出，三星目前在南韓平澤P4工廠，可能會把產能讓給記憶體晶片生產，同時放棄先進製程擴產計畫，全力衝刺高頻寬記憶體（HBM）。
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