朱憲國說明，利基型DRAM因原廠將產能轉向高階HBM產品而受到排擠，價格持續上漲；SLC NAND在三星與海力士減產下自谷底反彈，但因市場多為標案需求且缺乏新應用，漲勢相對溫和；NOR Flash則因AIoT應用擴大而價格明顯上揚。
朱憲國表示，IT與消費性電子需求仍保守，「十一」長假後面板廠控產導致產能利用率下滑5至10%，手機市場呈現高低階分化。中國雙十一備貨熱度不如以往，美國取消800美元以下免稅政策，也衝擊跨境電商。全球汽車市場總量持平，但結構轉變劇烈，中系車廠擴張、歐美日車廠於中國銷售下滑，歐洲車廠產能利用率僅約55%。
力積電強調，公司仍持續留意美國針對半導體的「特殊重點關稅」政策未定、地緣政治可能帶來的轉單效應，以及AI記憶體需求過熱的潛在風險。未來AI伺服器除HBM外，採用3D NAND技術的HBF（High Bandwidth Flash）亦被視為具成本優勢的新方向。
力積電表示，記憶體代工採投片定價，近月漲價效應將自11月起反映於出貨價格；DRAM代工價格第四季仍將續揚。Q4整體產能利用率預期與Q3持平，記憶體滿載、邏輯需求略弱。Interposer量產良率遠高於70%。
力積電說明，印度Tata合作案的權利金金額超過新台幣200億元，依合約里程碑分階段入帳，廠房已開工，預計2027年以後才有機會量產。與納微半導體（Navitas）合作持續推進，隨台積電退出6吋GaN市場，力積電有望承接部分轉單。
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