英特爾官網介紹，18A製程相較於Intel 3製程，在每瓦效能上提升15%，晶片密度提升30%，進一步推動半導體技術發展。這項技術是北美首個2奈米以下的先進製程，為客戶提供更具韌性的供應選擇。
英特爾說明，18A製程的核心創新之一是採用PowerVia晶背供電技術，有效提升密度和電池利用率5%至10%，並減少電源傳輸造成的電阻效應，使ISO電源效能提升最多4%。相較於傳統前置供電設計，該技術顯著降低內建電阻（IR）損失。
18A製程採用RibbonFET閘極全方位（GAA）電晶體技術，能精確控制電流，進一步縮小晶片組件尺寸並減少漏電，對於高密度晶片設計尤為關鍵。HD MIM電容器的應用則顯著降低感應電源掉落，提升晶片運行穩定性，尤其適用於生成式AI等高運算需求場景。
為確保技術順利導入，英特爾與超過35家業界領先的生態夥伴合作，包括EDA、IP、設計服務、雲端運算及航太防衛領域，加速技術普及與應用。
相較之下，台積電2奈米（N2）採用第一代奈米片（Nanosheet）電晶體技術，以提升效能與降低功耗，計劃2025年開始量產。台積電說明，主要客戶已完成2奈米矽智財（IP）設計並進行驗證。台積電進一步發展低阻值重置導線層及超高效能金屬層間電容，以持續提升2奈米技術效能。
台積電指出，2奈米製程於2025年量產時，將成為業界在密度與能源效率方面的領先技術。其採用的奈米片電晶體結構，可提升效能與功耗效率，滿足節能運算需求。此外，台積電推出N2P製程作為2奈米家族的延伸，提升效能與功耗表現，計劃於2026年下半年量產。
台積電更是強調，A16製程採用超級電軌技術（Super Power Rail，SPR），將供電線路移至晶圓背面，釋放更多訊號線路佈局空間，以提升邏輯密度與效能，預計2026年下半年量產。SPR技術亦能大幅降低IR drop，提高供電效率。此外，台積電獨特的backside contact技術，能維持與傳統正面供電相同的閘極密度、布局版框尺寸與元件寬度調節彈性，進一步提升密度與速度。
台積電表示，A16製程特別適用於高效能運算（HPC）產品，相較N2P，A16在相同電壓下速度可提升8%至10%，或在相同速度下降低15%至20%功耗，並提升1.07至1.10倍的晶片密度。
台積電在先前法說會指出，在智慧型手機與HPC應用推動下，2奈米技術前兩年產品設計定案（tape-outs）數量將高於3奈米與5奈米同期表現。也有市場消息傳出，台積電2奈米已進入試產階段，新竹寶山廠2奈米月產能預計提升至2.5萬片，年底前新竹與高雄廠合計月產能將達5萬片，甚至可能上看8萬片。台積電則是不予置評，表示2奈米將按計劃於2025年下半年量產，其量產曲線預期將與3奈米相似。
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