台積電表示，隨著領先業界的N3E技術進入量產，N2技術預計於2025年下半年量產，台積電在其技術藍圖上推出了新技術A16。A16將結合超級電軌（Super Power Rail）架構與奈米片電晶體，預計於2026年量產。
台積電說明，超級電軌技術將供電網路移到晶圓背面而在晶圓正面釋出更多訊號網路的佈局空間， 藉以提升邏輯密度和效能， 讓A16適用於具有複雜訊號佈線及密集供電網路的高效能運算（HPC）產品。
英特爾則是在2月首次舉行的IFS Direct Connect 2024活動，宣布繼4年5個製程節點計畫後，於2027年前推出Intel 14A 製程，將導入由艾司摩爾（ASML）供應的TWINSCAN EXE:5000、高數值孔徑極紫外光（High-NA EUV）設備來生產，預計比Intel 18A製程能耗效率提高15%，電晶體密度增加20%，預計2027 年啟用High-NA EUV設備，生產 Intel 14A 製程。
三星則是最早從鰭式場效電晶體架構（FinFET）轉入環繞閘極電晶體架構（Gate-All-Around，GAAFET）的廠商，只不過最新的製程藍圖，仍停留在Samsung Foundry Forum 2022以及三星 Foundry於2023年以色列半導體展會所公布的資訊。三星在2022年6月宣布量產3奈米GAA 多橋通道場效應電晶體（MBCFET）製程（SF3E）後，並採用奈米片設計，今年宣布第二代3奈米GAA製程（SF3），並導入第二代MBCFET，還有性能加強版的SF3P，能用於高效能運算晶片。直到2025年，三星將大規模量產2奈米製程（SF2），2027年將量產SF1.4製程，約莫為14A製程。
整體來看，台積電2奈米製程時程比原先提前，甚至在這次的技術論壇發布的A16製程進度，相比三星3奈米目前客戶乏人問津，英特爾仍困在晶圓代工事業虧損階段，台積電的先進製程預計能在2026年就搶先跨入埃米時代，持續保持競爭優勢。
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