美國時間周二（6月27日），三星在矽谷舉辦「2023三星晶圓代工論壇」，會中三星宣布將提高晶片代工產能，並引進更先進的製程技術。此外，三星還發布該公司2奈米等先進製程的具體路線圖。

三星去年6月實現基於全環繞柵極（GAA）技術的3奈米製程半導體產品量產，之前也公布將於2025年起量產基於GAA技術的2奈米工藝半導體。

財聯社報導，GAA技術是新一代半導體的核心製程技術，能夠提升資料處理速度、電力效率和電晶體性能。與目前最先進的3奈米技術比較，三星的2奈米製程將提高性能12%、並節能25%。

三星在論壇提出關於2奈米工藝半導體的具體時間表，自2025年起首先將該技術用於移動終端，2026年將2奈米工藝適用於高速運算（HPC）領域；並於2027年將其用途擴至車用晶片。

展望未來，三星還確認在2027年開始批量生產首批1.4奈米晶片的計畫。

三星總裁暨晶圓代工事業部負責人崔世英表示，「三星代工一直以領先的技術創新曲線來滿足客戶的需求，今天，我們相信，我們基於GAA的先進節點技術將有助於支援客戶使用人工智慧應用程式的需求。確保客戶的成功是我們代工服務的最核心價值。」

財聯社指出，除了推進先進製造工藝外，三星還決定拓展專業晶片代工服務；首先，三星將從2025年起提供人工智慧技術所需的8吋氮化鎵（GaN）功率半導體的代工服務，該半導體的特色是高性能低電耗，目標應用是消費者、資料中心和汽車應用。

同年，三星還將開始生產支持6G網路技術的5奈米射頻晶片。該射頻晶片將採用三星的5奈米工藝製造，其功率效率將比之前的14奈米射頻晶片提高40%，面積則減少50%。

與此同時，公司還要提高生產能力，透過增加無塵室擴產，服務更多的客戶。三星計畫到2027年，該公司的無塵室總空間將比2021年擴大7.3倍。三星表示，將在韓國平澤工廠和美國德州Taylor工廠新建生產線。

2奈米工藝被視為下一代半導體製程的關鍵性突破，它能夠為晶片提供更高的性能和更低的功耗。

作為三星最大競爭對手台積電，該公司於去年研討會就披露其2奈米晶片的早期細節。台積電的2奈米晶片將採用N2平台，引入GAAFET奈米片電晶體架構和背部供電技術。

台積電推出的採用奈米片電晶體構架的2奈米製程技術，在相同功耗下較3奈米工藝速度快10%至15%，在相同速度下功耗降低25%至30%。

財聯社指出，英特爾也為先進製程做好準備。該公司已經完成Intel 20A和Intel 18A的製程工藝的開發（分別對應2奈米和1.8奈米）。Intel 20A工藝將引入兩種全新的技術，PowerVia背部供電技術和RibbonFET全環繞柵極電晶體，RibbonFET就是基於GAA技術，只是英特爾將其命名為了RibbonFET。

英特爾還表示，將於2024年量產Intel 20A、以及更加先進的Intel 18A。根據英特爾的說法，Intel 18A的性能會完全超過台積電和三星的2奈米工藝。

三星 半導體 晶圓代工
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