鴻海研究院攜手SEMICON Taiwan舉辦論壇　聚焦SiC、矽光子AI應用

論壇以「Power & Optoelectronics: Unlocking the Future of AI」為題，探討碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）在AI伺服器功率解決方案上的突破，矽光子技術在高速網路互聯的應用，以及生成式AI與大型語言模型帶動下，能源轉換效率、熱管理與高速通訊的產業挑戰。論壇指出，化合物半導體將是提升能源效率與支持高速傳輸的關鍵。

鴻海S事業群總經理陳偉銘表示，化合物半導體市場將自170億美元快速成長至2030年的300億美元，碳化矽已在電動車與快充扮演要角，氮化鎵則在5G與高頻領域展現優勢，兩者同樣是AI伺服器與高效能運算的核心。他強調，隨著材料與製程技術突破，化合物半導體將推動資料中心與智慧應用的全面升級。

鴻海研究院半導體研究所也發表與國立陽明交通大學、美國伊利諾大學香檳分校的合作成果，在第四代半導體β-氧化鎵（β-Ga₂O₃）中導入間隔層設計，成功形成二維電子氣（2DEG），大幅提升導通能力與耐壓特性，相關成果已刊登於國際期刊《Advanced Electronic Materials》。研究所所長郭浩中指出，隨著AI伺服器對能源效率需求升高，功率半導體的技術突破將成為產業核心。

論壇最後，鴻海研究院展示在SiC、GaN與Ga₂O₃等材料上的研發成果，並與業界探討AI伺服器、電動車與新世代通訊應用的未來機遇，展現其持續推動半導體創新與落地應用的決心。