半導體晶圓代工大廠在7月法說會中指3奈米、5奈米以及未來的2奈米需求非常高，已經很長時間沒有看到如此強勁的需求了，客戶積極進行設計定案（tape-out），預期2奈米的增長曲線與3奈米相似。由於2奈米世代電晶體架構將由FinFET跨越至GAAFET，此架構轉變預計將大幅推升晶片製程驗證與故障分析（FA）需求。
隨著先進製程研發所需的分析工作量已超出晶圓代工廠內部實驗室負荷，加上新製程研發講求時效，使得近年晶圓代工廠對材料分析（MA）與故障分析（FA）的外包需求持續成長。目前閎康已於臺灣與日本建構完善的實驗室網絡。預期隨著晶圓代工廠大廠加快先進製程升級與擴產腳步（2奈米如期量產、3奈米產能大幅開出），以及國際大廠積極投入AI晶片研發，預期MA與FA委外檢測需求將持續走高，也為閎康後續營運注入樂觀動能。
閎康導入的最新一代高解析度紅外線與靜態電流分析平台 PHEMOS-X。這套系統屬於目前故障分析領域的頂尖利器，能感測晶片中極微弱的光與熱輻射訊號，精準定位奈米級製程晶片的缺陷與hotspot熱點失效位置。透過先進的紅外線影像與靜態電流成像技術，PHEMOS-X可有效偵測2奈米以下晶片製程中的潛在瑕疵，提供比傳統方法更高解析度的失效分析解決方案。此設備特別適用於AI加速器、ASIC等高密度晶片的開發階段，成為AI晶片進入量產前不可或缺的關鍵分析工具。
閎康對於分析技術及先進儀器的佈局往往領先業界之先，此機台的導入將能使過往難以解析的先進製程缺陷迎刃而解，可即時滿足半導體大廠對先進製程FA的高階需求， 亦可帶動閎康承接案件的規模與單價同步提升。
展望未來，隨著AI與HPC對先進製程的需求持續升溫，以及全球晶圓代工廠全力推進2奈米與3奈米節點技術，市場對半導體檢測與分析服務的需求將呈現結構性成長。閎康不僅掌握區域實驗室佈局優勢，更透過導入PHEMOS-X等高階設備，顯著拉升其FA技術與接案單價門檻，進一步強化公司在AI晶片分析領域的競爭力。在全球半導體製程驗證與失效分析外包趨勢愈加明確的背景下，閎康有望持續受惠於此產業大浪潮，加速推進營收與獲利成長動能。
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