壹蘋新聞網
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帶您快速了解新聞核心內容：鴻海研究院領先開發碳化矽製程技術，成功應用於AI伺服器，實現單晶片整合電路在高溫條件下的穩定運行。此外，他們亦在電源控制技術中推出創新，進一步提升AI伺服器的能源效能與穩定性，展示出其在半導體技術領域的突破性進展。
重點整理如下：
- 鴻海研究院與校方合作，成功開發碳化矽製程應用於AI伺服器的單晶片整合電路技術，解決高溫效能衰減問題。
- 研究團隊開發出整合 Burst Mode 和 Soft-Start 功能的LLC控制器，降低輕載功耗並提升系統穩定性。
- 碳化矽製程技術使單晶片能在高溫下如300°C環境中穩定運作，打破傳統矽基電路的侷限。
- 鴻海研究院將深化與學術界合作，推廣半導體技術的創新應用。
