隨著先進製程不斷推進，電晶體架構陸續由FinFET轉進至GAA，製程的複雜度和精密度持續提升，這些都使得MA和FA在製程研發和良率提升方面扮演著至關重要的角色。近期，大客戶於法說會中釋出樂觀展望，預期2奈米節點前兩年tape-out數量將超過3奈米及5奈米製程前兩年數量，主因智慧型手機與HPC應用推動，會中釋出2025年資本支出展望，亦創新高。閎康憑藉著多年的經驗和技術積累，已成為業界領先的MA和FA服務供應商，將持續受惠於製程演進及測試難度提升。
隨著人工智慧（AI）的快速發展，驅使GPU與ASIC等AI加速器需求激增，根據國際大廠超微（AMD）的預估，估計到2028年時，資料中心AI加速器TAM將達5,000億美元，2023至2028年間的年複合成長率將超過60%。AI加速器晶片設計複雜，對效能和可靠性要求極高，這也進一步推升了對MA和FA的需求。閎康科技積極布局AI加速器領域，並擁有先進的分析技術和設備，例如：穿透式電子顯微鏡（TEM）、聚焦離子束顯微鏡（FIB）和二次離子質譜儀（SIMS）等，可以協助客戶深入分析AI加速器晶片的材料特性、結構缺陷和失效機制，加速產品開發和量產。
日本政府積極推動半導體產業復興，閎康之日本客戶亦預計於2025年4月進入試產，目標是生產2奈米以下的先進晶片，如何快速提升良率將是一大挑戰。在先進製程的研發和量產過程中，檢測分析能力是製程開發和提升良率的關鍵因素，閎康憑藉著在MA和FA領域長期積累之經驗，將協助客戶快速建置產線製程、分析晶片缺陷、找出良率瓶頸，並提供改善方案。預期先進製程及日本實驗室之貢獻，將持續帶動閎康業績增長。
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