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英特爾晶圓代工展示了減材釕（subtractive Ruthenium）技術，這一創新材料有助於提升晶片內部互連效能。透過這項技術，晶片的電晶體容量可提升25%。減材釕技術利用薄膜電阻和氣隙來替代傳統銅電晶體，解決了銅在未來節點微縮過程中的限制，並成功將線間電容幅度降低至25奈米間距。這項技術將在未來的英特爾晶圓代工節點中得以實現，成為半導體微縮的重要突破。
在封裝方面，英特爾晶圓代工展示了選擇性層遷移（SLT）技術，這是一種異質整合解決方案，可以實現超高速的晶片對晶片組裝。這項技術提高了吞吐量達100倍，並使晶片對晶圓鍵合更加靈活且具成本效益。通過SLT，超薄小晶片能在不同晶圓之間實現更小尺寸和更高的功能密度，為AI應用架構的效率提升奠定基礎。
英特爾晶圓代工在IEDM上展示了矽RibbonFET CMOS技術，這項技術將環繞式閘極微縮推向極限。即便在閘極長度縮小至6奈米後，該技術仍能維持優異的效能，顯示出其在微縮過程中的潛力。這一技術不僅符合摩爾定律，還推動了閘極長度微縮的新進展，對未來的電晶體製程具有深遠意義。
為了進一步推動環繞式閘極技術，英特爾晶圓代工展示了在GAA 2D FET的閘極氧化物模組上的突破。這項技術使閘極長度達到30奈米，並專注於二維過渡金屬二硫族化物（TMD）半導體的研究，這些材料有望在未來取代傳統矽，成為先進電晶體製程中的核心材料。
此外，英特爾晶圓代工還展示了業界首個300毫米氮化鎵（GaN）技術，這項技術將對功率電子和射頻（RF）產品產生深遠影響。氮化鎵相比矽能提供更高的效能，並能在更高電壓和溫度下運行。這項技術的成功實現，將大大提高射頻和功率電子產品的效能，並為未來的高效能計算設備鋪平道路。
英特爾晶圓代工在IEDM會議中進一步闡述了其對先進封裝和電晶體微縮技術的願景，特別是在AI應用領域中的需求。為了應對未來AI需求的挑戰，英特爾強調了三個關鍵推動力：先進記憶體整合、互連頻寬最佳化和模組化系統擴充，這些技術將有效提升AI運算效率。
英特爾晶圓代工的最新突破顯示出該公司在半導體技術領域的領先地位，並展現了其對摩爾定律延續的承諾。英特爾晶圓代工資深副總裁暨元件研究部總經理Sanjay Natarajan表示，這些創新不僅是為了提升效能，更是為了實現AI時代的需求，特別是在超低電壓運行和能效方面。未來，英特爾將繼續推動行業採用革命性創新，為實現兆級電晶體時代的微縮需求奠定基礎。
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