三星3奈米GAA卡關！傳美國廠遭拖累　良率僅20%遠低於量產水準

三星是最早從鰭式場效電晶體架構（FinFET）轉入環繞閘極電晶體架構（Gate-All-Around，GAA）的廠商，由於接觸面積增加，並透過降低供電電壓、增加驅動電流能力以提升性能，讓電晶體得以承載更多電流，並且更小。

根據韓媒《韓國時報》指出，儘管三星努力提升良率，但是三星在今年第一季的3奈米GAA良率仍在個位數，並慢慢成長到20%，但是南韓分析師點出，要讓高通等大客戶願意下單，良率必須爬升到60％才有可能。此外，由於三星提早採用GAA技術，晶片製造成本大幅增加。此外，由於良率提升效果不佳，韓媒指出，三星位於美國德州的泰勒市的晶圓代工建廠行動，可能會從明年下半年延遲到2026年。

三星在今年晶圓代工論壇指出，三星在2022年6月宣布量產3奈米GAA 多橋通道場效應電晶體（MBCFET）製程（SF3E）後，採用奈米片設計，今年宣布第二代3奈米GAA製程（SF3），並導入第二代MBCFET，還有性能加強版的SF3P，能用於高效能運算晶片。直到2025年，三星將大規模量產2奈米製程（SF2），2027年將量產SF1.4製程，約莫為14A製程。

但是三星德州廠可能遭到量率不佳拖累，更牽扯美國晶片法案補助的66億美元，三星要全部取得恐怕非常困難。不過，若是三星的良率能夠提升，將有助於輝達等廠商，讓他們可以在先進製程以更優惠的價格替其產品代工生產。