BCD技術可在單一晶片上整合類比、數位與電力元件，是電源管理與混合訊號IC的關鍵製程。聯電最新的55奈米BCD平台提供多元化解決方案，滿足不同應用對效能與可靠度的需求。
其中，非磊晶（Non-EPI）製程以高性價比方案支援行動及消費性電子裝置，提供優異電源效率與性能；磊晶（EPI）製程則符合AEC-Q100 Grade 0車規標準，支援高達150V操作電壓，在極端環境下維持高可靠性；而絕緣層上覆矽（SOI）製程符合AEC-Q100 Grade 1標準，具備優異抗雜訊、高速運作與超低漏電特性，適用於高階車用與工業控制應用。
聯電進一步整合超厚金屬層（UTM）、嵌入式快閃記憶體（eFlash）及電阻式隨機存取記憶體（RRAM）技術，全面提升晶片效能與系統整合彈性，為客戶打造高可靠度、高整合度的電源管理解決方案。
聯電技術研發副總經理徐世杰表示，55奈米BCD平台的推出是聯電在特殊製程佈局的重要里程碑，不僅完善BCD製程產品線，也進一步鞏固聯電在電源管理市場的競爭優勢。他指出，雖然市場上已有成熟的55奈米BCD製程，但聯電此次推出的全新平台在元件特性與整合彈性上更具突破，可協助客戶開發下一代智慧電源解決方案，應用範圍涵蓋智慧型手機、穿戴裝置、汽車電子、智慧家庭與智慧工廠。
目前聯電已建構業界最完整的BCD技術組合，製程節點橫跨0.35微米至55奈米，提供廣泛電壓範圍、豐富IP資源與完整設計支援，協助客戶加速產品開發進程。聯電強調，將持續深化智慧電源與混合訊號領域的技術能量，與全球客戶共同推動高效能、低功耗的電源管理新時代。
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