根據韓媒報導，台積電已經接到客戶2奈米訂單，並預計在今年下半年於新竹寶山與高雄兩座先進製程晶圓廠進行生產，相較於3奈米，台積電2奈米採用GAA架構，實現10%至15%性能提升，功耗降低25～30%，電晶體密度也將提升15%。
至於三星，透過先前財報指出，將在今年下半年開始量產2奈米晶片。三星是業界率先導入GAA架構的廠商，但因初期良率不佳導致進展受限，業界認為，三星希望憑藉過往經驗，進一步穩定2奈米量產表現與良率。
報導也提到，調研機構Counterpoint Research指出，今年第一季台積電在全球晶圓代工市占率達到67.6%，穩坐龍頭寶座，2奈米製程良率更是突破60%，達到穩定量產門檻，反觀三星，市占率僅7.7%，目前良率約40%，仍有提升空間。
台積電董事長魏哲家日前在法說會也透露，2奈米需求已超越3奈米，來自智慧型手機與高效能運算（HPC）的應用需求大增，並提到2奈米前兩年新產品頭片數量，已經超過3奈米，甚至是5奈米家族的需求。
Counterpoint Research預估，台積電今年第四季2奈米產能將會滿載，進度超過歷代製程節點，預期蘋果、高通、聯發科、AMD，甚至是英特爾，都是其客戶。三星則是在近期動作頻頻，不僅招攬前台積電高層Margaret Han，負責掌舵其美國晶圓代工業務，顯見其進軍先進製程市場的決心。
英特爾則是力拚在18A製程的表現，英特爾晶圓代工服務總經理Kevin O’Buckley在近期活動中坦言，公司目前的確有進度落後的情況，但是強調18A製程正在重回正軌，預計在2025年下半年進入量產階段，有信心在先進製程領域的表現。
相比之下，三星還得面對記憶體競爭的問題，根據Counterpoint Research資料顯示，三星在全球DRAM市占率在第一季來到34％，競爭對手SK海力士（SK hynix）來到36%，龍頭寶座拱手讓人，美光則是25%。
若以HBM來看，SK海力士市占率更是來到70%，目前SK海力士與美光都已經將HBM4送樣，三星仍卡在HBM3E未通過輝達驗證，但是AMD上週舉行的 AI Advancing 2025 活動，宣布新款 AI 加速器 MI350X 和 MI355X 將搭載三星和美光的12層堆疊HBM3E，讓三星稍微獲進展。
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