隨著半導體製程技術邁向2nm,晶圓代工大廠將導入環繞式閘極電晶體(GAAFET)架構,根據官方公佈的數據顯示,相較於N3E製程,2nm技術將在相同功耗下提供10-15%的性能提升,或在相同性能下降低23-30%的功耗,客戶對2nm的興趣及參與度亦優於3nm量產初期。

電晶體架構的轉變是半導體業界的一大挑戰,轉換到新架構的難度遠高於優化現有架構。這一過程需經反覆的MA、FA以精確調整材料和製程參數,為半導體檢測行業創造了大量商機。GAAFET架構檢測服務商機於2022 年已逐步發酵,隨著晶圓代工大廠2025年量產時間接近,閎康MA及FA之進案量有望維持高檔。

隨著傳統矽製程逐漸接近物理極限,矽光子技術(Silicon Photonics)逐步成為突破摩爾定律瓶頸的重要技術。矽光子技術將光學元件整合進矽晶片,透過光波導(waveguide)代替銅線來傳輸訊號,從而顯著解決訊號衰減和散熱問題,並提高傳輸速度和能效。這一技術的應用能有效縮小光收發器的尺寸,進而增加交換器的通道數目,成為HPC及AI應用的關鍵技術。

隨著矽光子技術的發展,對半導體檢測技術的需求也隨之上升,不僅需要確保元件的可靠性,還需深入了解光電性能、材料特性及設計缺陷。二次離子質譜儀(SIMS)在矽光子技術檢測中扮演關鍵角色,其在分析半導體材料的表面和界面特性,尤其是在摻雜和離子植入的研究中,具有高靈敏度和高解析度的優勢。閎康在亞洲第三方實驗室中具備最大的SIMS產能,且是少數在早期就參與合作的公司,隨著矽光子技術逐漸成熟,相關檢測分析需求亦將水漲船高。


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