SEMI預計，2024年半導體設備支出將成長4%，達到993億美元，到2025年將進一步增長24%，達到1232億美元，首次超過1000億美元，2026年支出將增長11%，達到1362億美元，然後到2027年增長3%，達到1408億美元。
SEMI總裁兼執行長Ajit Manocha表示，2025年全球12吋晶圓廠所需要的設備支出將持續創紀錄成長，奠定了半導體產業的發展基礎。全球對於半導體的普遍需求上升，主要由對於AI應用提升，以及汽車物聯網應用日趨成熟所驅動。
從區域來看，中國將保持領先，作為全球對於12吋晶圓廠建廠行動投資最大的區域，在官方政策支持下，預計未來3年投資將超過1000億美元，然而，預計支出將從2024年高峰450億美元，逐漸減少到2027年310億美元。
其次是南韓，未來3年將投資810億美元，以進一步在DRAM、高頻寬記憶體（HBM）和3D NAND快閃記憶體等記憶體領域的主導地位。 第三名是台灣，將花費750億美元，因為台積電加大在海外的投資規模，3奈米的投資成為主要驅動力。
其他地區，美洲將投資630億美元，日本、歐洲以及中東、東南亞預計會在未來3年分別投資320億美元、270億美元和130億美元。 值得注意的是，這些投資主要是在緩解關鍵半導體供應本土化的措施，預計到2027年這些地區的半導體設備投資將比2024年成長一倍。
若以製程節點來看，預計在2025年至2027年，3奈米以下的投資將達到2300億美元，投資2奈米的關鍵技術，包括環繞閘極場效電晶體（GAA）技術、晶圓背面供電BSPDN，將滿足未來對於高效能運算（HPC）以及AI需求，至於對於汽車電子與物聯網應用的需求不斷增加，具有成本效益的22/28奈米製程工藝也會持續增長。SEMI推估，未來3年邏輯IC部門會持續推升資本支出，預計達1730億美元，記憶體部門排名第二，預計達1200億美元，代表著另一個細部市場成長週期的開端，在記憶體部門，尤其對DRAM相關設備的投資將超長750億美元，對於3D NAND的投資預計將達到450億美元。
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