根據《韓國經濟日報》報導,業內人士指出,三星將採用4奈米製程,量產第六代HBM4晶片的邏輯晶粒(logic die)。邏輯晶粒位於晶片堆疊最底層,為控制DRAM的HBM晶片核心元件。直至最新一代的HBM3E,三星、SK海力士等記憶體大廠都自行生產HBM所有部分,但是HBM4需要更大的客製化空間,來滿足客戶要求,加上邏輯晶粒若採用先進製程,將可以包括更多運算功能,因此需要額外導入先進製程工藝。
業內人士表示,4奈米無疑比7奈米、8奈米貴上許多,但是晶片效能與功耗表現也更為優異。三星4奈米良率約為7成,三星也運用該製程工藝生產Galaxy S24部分地區搭載的Exynos 2400處理器,目前以10奈米製程生產HBM3E的三星,打算利用4奈米製程搶回在記憶體領域的領導地位。三星預計在由系統LSI部門主導該計畫,讓HBM4晶片的性能最大化。有消息傳出,為了因應三星的計畫,台積電與SK海力士除了在原先12奈米製程的生產之外,也要增加5奈米製程的邏輯晶粒生產。
台積電與SK海力士於4月簽署合作備忘錄,共同開發HBM4技術,預計2026年量產。為了提高效能,SK海力士當時聲明表示,雙方針對封裝在最底層的基礎裸晶(Base Die)進行效能改善,將採用先進邏輯製程,海力士將DRAM裸晶(Core Die)堆疊在Base Die之上,透過TSV技術連接,採用台積電CoWoS先進封裝技術,達到GPU控制HBM的目標。而HBM4的量產時程,也符合輝達下一代資料中心等級GPU架構平台Rubin,預期2026年問世,並搭載HBM4的進程。
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