根據《彭博》報導，華為與中國晶圓代工龍頭中芯國際送交一份名為自對準多重圖案化（SAQP）晶片專利。由於美國制裁影響，不僅華為無法取得先進製程晶片，中芯國際也無法獲得來自荷蘭半導體設備商艾司摩爾（ASML）的極紫外光（EUV）曝光機，為了持續推進先進製程，只能選擇多重曝光技術，藉此提升電晶體密度。
從專利來看，SAQP技術主要是晶圓多次曝光蝕刻線路，以此提高電晶體密度、降低功耗，最大限度提升晶片效能。華為所搭載的麒麟 9000S 晶片據傳就是中芯國際藉此技術打造的7奈米製程，不過以良率、效能實際情況來看，恐怕無法與台積電的7奈米製程相提並論。
報導也提及，與華為合作、受到中國政府資金支援的半導體設備商深圳新凱來技術 (SiCarrier) 也獲得了一項關於SAQP的專利，證實了中芯國際正在計畫下一代製程節點所使用的技術。
實際上，浸潤式微影之父、台積電前研發副總林本堅曾在公開場合回應中芯國際開發先進製程的情況，林本堅指出，微影技術及產能的投資成本很高，若只能微縮一點點，不見得每個人需要，中芯國際即便無法取得EUV曝光機，以現有設備並採用採用多重圖形（Multiple patterning），也能推進到5奈米製程。
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