ASML表示一台高數值孔徑 EUV設備的體積和卡車相當,每台設備的售價超過 3 億美元(約96億台幣),可以滿足一線晶片製造商的需求,可以在未來10年內製造更小、更好的晶片。
Wennink 表示部分供應商無法提高組件的數量和質量,因此導致略微延誤,但整體而言這些困難都可以控制,承諾會在今年底前交付首台機器。
IT之家之前報導,對於後3奈米時代,ASML及其合作夥伴正在開發一種全新的EUV機器Twinscan EXE:5000 系列,該系列機器將具有0.55 NA(高 NA)的透鏡,分辨率達8奈米,從而在3奈米及以上節點中盡可能地避免雙重或是多重曝光。
目前極紫外光(EUV)機台可支持晶片製造商,將製程推進到3奈米左右,若要往更先進的2奈米製程甚至更小尺寸,就需要高數值孔徑極紫外光設備。
由於新一代 High NA EUV比前一代體積大30%左右,重量超過200公噸,至少需要3架波音747分批運送。
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