格棋強調，8吋SiC晶圓的價值不只在於尺寸放大，更在於降低缺陷密度，這才是真正的戰場。隨著電動車、高頻通訊與衛星應用的快速擴張，市場對高品質晶圓的需求持續增加。然而，晶體成長過程中常見的微管（Micropipe）、堆疊錯位（SF）、基底位錯（BPD）等缺陷，長期限制了SiC在量產上的良率。格棋已建構出跨越熱場設計、碳比控制、雜質抑制與結晶動態調控的完整製程策略，有效將缺陷密度壓低至10²/cm²以下，大幅提升晶圓可用率，協助客戶提高後段製程的加工良率與產品可靠度。
此次展會，格棋將展示五項實體成果，包括高純度粉體、8吋半絕緣與導電型晶棒及晶圓，凸顯其在材料端控制碳矽比例、熱流均勻性與內部壓力釋放的能力。這些成果不僅能應用於車用主驅動模組、能源逆變器，亦可滿足雷達與微波通訊對高頻元件的嚴苛需求。格棋表示，透過完整的製程驗證，已可為客戶提供可交付的材料方案，縮短產品進入市場的驗證流程，加快下一代元件的商業化速度。
目前全球8吋SiC晶圓仍多處於實驗產線階段，格棋已具備6吋晶圓的穩定量產能力，並完成8吋晶棒與晶圓的製程實證，成為台灣少數真正跨越技術門檻的新創。公司整合了台日技術優勢，建立具重現性的製程平台，包括種晶端純化、粉體雜質控制、碳包覆抑制與熱場模擬，確保晶體成長的結構穩定性與良率。其中，8吋導電型晶圓的成長穩定性已接近試量產標準，可支援車用功率模組與工業級應用；而8吋半絕緣型晶圓則聚焦在雷達、射頻與航太通訊，成為高附加價值材料的核心。
值得一提的是，格棋業務處長吳義章博士榮獲SEMI Taiwan「20 Under 40 半導體新銳獎」，肯定其在第三類半導體產業推動上的深耕與市場落地能力。吳博士早期即參與公司技術規劃與客戶驗證，推動「可交付材料文化」，使格棋在短時間內完成從研發到客戶認證的轉換，為台灣材料新創立下關鍵標竿。
在全球第三類半導體供應鏈重組的當下，歐美強化在地製造，中國以格棋業務處長吳義章榮獲「20 Under 40半導體新銳獎」.jpg價格競爭搶市，美國則透過IRA補助拉升戰略材料自製率，台灣若要持續扮演關鍵角色，必須從代工思維轉向材料供應鏈主體。格棋以「低缺陷、高交付、在地製造」為核心，持續推進可量產、可驗證、可信賴的SiC體系，逐步建立屬於台灣的技術護城河。此次SEMICON Taiwan 2025，將成為格棋向全球展示其材料實力的重要舞台。
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