Counterpoint表示，雖然新一代DDR5與LPDDR5同樣面臨漲價壓力，但幅度仍不及DDR4、LPDDR4劇烈，部分產品第二季價格波動區間達-5%至+10%，而第三季更預估將上漲20%至30%，這一波漲價風潮與COVID-19期間類比零組件帶動整體價格上升的情況如出一轍。
其中，中國廠商長鑫存儲（CXMT）在第一季於DDR4與LPDDR4市佔分別達10%與20%（以bit計），壓抑價格下行。預期至2025年末，其在DDR5與LPDDR5市佔將提升至7%與9%，未來或將在高階記憶體價格上扮演平衡角色。
在高效能LPDDR4市場方面，三星以40%市佔居領導地位，受惠於來自NVIDIA等AI伺服器客戶穩定需求，支撐其營收與產能調度。與疫情時期的全面停產不同，目前廠商對舊品採取較為彈性的生產策略，短期供應中斷風險相對可控。
此外，2025年上半年，各大記憶體廠商積極推動資本支出與技術升級。Kioxia宣布未來五年將產能翻倍；Micron則提出總額達2,000億美元的長期擴產計畫。三星與SK海力士則聚焦HBM高頻寬記憶體產品布局，預計至2026年前強化在AI市場的技術領先。
SK Hynix將於今年底向NVIDIA供應HBM4產品，搶先一步搶占先進AI記憶體市場；三星則正推進HBM3e 12層版本的認證工作，雙方並調整資源配置，將部分產能自傳統DRAM轉往HBM，助推DRAM價格進一步走揚。
中國記憶體產業儘管在1z製程與HKMG技術仍受限於設備取得與研發門檻，但包含CXMT、長江存儲與華為等正積極投入垂直通道電晶體（VCT）與3D DRAM架構開發，力拚突破2D設計極限，以期達成中長期自主化技術目標。
Counterpoint Research研究總監MS Hwang提醒，企業策略規劃不應忽視技術進程與供應鏈風險同步加劇，唯有提前因應、強化產品與生產彈性，才能在記憶體市場重構之際占得先機。
點擊閱讀下一則新聞
