隨著 AI 技術蓬勃發展,對於更高效能、更低能耗的記憶體需求持續攀升。美光 1γ DRAM 在效能、能耗與位元密度方面皆有顯著提升。透過採用 EUV(極紫外光微影)技術及高介電質金屬閘極 CMOS 技術,美光成功提升製程精度,並在每片晶圓的位元產出量上較前一代增加 30%。
美光科技執行副總裁暨技術和產品執行長 Scott DeBoer 表示,美光憑藉深厚的 DRAM 開發專業,結合策略性 EUV 微影技術應用,推出領先業界的 1γ 記憶體技術。此節點不僅展現美光在製造效率上的優勢,也讓公司能夠擴大記憶體供應,以滿足 AI 產業不斷增長的需求。

美光1γ 製程技術不僅帶來更高效能與更低功耗,亦將全面整合至旗下的記憶體產品組合中。此節點的創新基礎來自 CMOS 技術的進步,包括電晶體效能提升、設計最佳化與特徵尺寸微縮,使其在節能與效能擴展方面具備優勢。此外,EUV 微影技術、高縱橫比蝕刻技術的應用,進一步強化了位元密度,為市場提供更具競爭力的產品。
美光科技執行副總裁暨業務執行長 Sumit Sadana 指出,1γ DRAM 是美光在記憶體技術上的又一次重大突破,其卓越的能源效率與效能表現將為 AI 生態系統提供關鍵動能。從資料中心到邊緣運算,1γ DRAM 的應用範圍廣泛,可協助客戶應對未來技術發展的挑戰。
1γ DRAM 節點的推出將推動各類應用轉型,涵蓋資料中心、AI PC、行動裝置與車用市場。針對資料中心,美光的 1γ DDR5 記憶體方案可提升伺服器效能 15%,同時強化能源效率,協助企業優化機架級電源與散熱設計。對於 AI PC 及行動裝置,美光 1γ LPDDR5X 可降低能耗 20%,延長電池續航力並提升使用者體驗。在車用領域,1γ LPDDR5X 記憶體的資料傳輸速率達 9600MT/秒,提供更高效能與更長壽命的解決方案。
AMD 伺服器平台解決方案工程部門企業副總裁 Amit Goel 表示,AMD 已開始驗證美光 1γ DDR5 記憶體,並期待與美光合作,推動資料中心運算技術的發展。
Intel 記憶體與 IO 技術副總裁暨總經理 Dimitrios Ziakas指出,1γ DRAM 為伺服器與 AI PC 帶來更穩定的功耗控制與能量密度提升,Intel 正積極進行相關驗證,未來將進一步強化產品效能與 PC 電池續航力。
美光科技表示,符合資格的客戶與合作夥伴可加入其 DDR5 技術應用支援計畫(TEP),以獲取技術資訊、電子與散熱模型,並獲得設計、開發與導入下一代運算平台的相關支援。隨著 1γ DRAM 產品陣容的逐步擴展,美光將持續推動記憶體技術發展,助力全球運算生態系統的演進。
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