綜合媒體消息指出,台積電首套High-NA EUV曝光機買價遠低於定價,根據先前ASML對外聲稱的價格為3.8 億美元(約為新台幣120億元),足足比前一代EUV曝光機價格1.8億美元高出許多。ASML High NA EUV產品管理副總裁Greet Storms則是在上週SEMICON Taiwan 2024分享最新技術,指出透過採用最新光學元件,將數值孔徑從0.33提升至0.55,以提供更高成像解析,臨界尺寸將達到8nm,讓晶片製造商可以在同樣單位面積的晶片上,實現較現今設備高出2.9倍電晶體密度,大幅降低成像缺陷。
此外,Greet Storms也在回應媒體提問,被問及有客戶說設備太貴了,她回稱,相信對方會議價,而且很多EUV客戶也都在買他們的產品。
雖然張曉強再先前聲稱,A16製程仍可以不使用High-NA EUV曝光機,但是台積電董事長魏哲家今年5月沒有出席在新竹的技術論壇,而是跑到歐洲拜訪荷蘭 ASML 總部,外界認為台積電就算技術優秀,但為了與對手保持競爭,仍會積極採購High-NA EUV曝光機,市場推測,台積電將在今年底收到首套High NA EUV曝光機,但是最新消息指出,台積電將提前在9月底收到設備,並且以遠低於市價的折扣取得。
市場推測,可能是英特爾陷入財務難題,搶先取得首套High NA EUV曝光機的優勢全無,三星目前在GAA製程良率仍有很大問題,遑論率先採用High-NA EUV曝光機,台積電目前坐擁市場、技術優勢,ASML雖然目前營收仍有大半可以靠出口成熟製程設備到中國維持,但是美國晶片禁令只會愈縮愈緊,相比之下,台積電是最有可能大手筆採購設備的廠商。對此,ASML並沒有回應評論。
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