起訴狀中詳述位於中國廣東的英諾賽科公司總部招募了兩名宜普公司的員工，分別擔任科技長和銷售暨行銷業務負責人。不久後便推出了一套與宜普明顯相同的產品，並自稱與宜普產品幾乎相同。近期英諾賽科又宣稱其許多產品與市場上現有產品（包含宜普公司產品）「完全相容」，更大膽積極向宜普的客戶推銷這些產品元件。
氮化鎵（GaN）將成為下一代的電源轉換技術，有望在未來十年內取代矽基功率半導體。與矽基半導體相比，氮化鎵是更小、更有效率且更可靠，並能以更低的成本表現出更良好的性能。
應用範圍從計算、汽車、太陽能、機器人、無人機、醫療電子和雷射探測與測距到日常產品，如手機、音響設備、智慧型電器、電動工具、快速充電器和電動自行車等。
氮化鎵技術有望將全球能源效率提高15~20%，有助降低能源成本、減少有害氣體排放，並支持美國的能源安全和永續發展目標。專家預測未來2~3年內，氮化鎵市場將達到數十億美元的規模，並在未來十年內達到約數百億美元的高峰。
宜普公司向聯邦法院和美國國際貿易委員會起訴英諾賽科公司侵害專利權、尋求損害賠償，並希望美國禁止進口該公司構成侵權的氮化鎵產品元件。
這些被侵權的專利涉及宜普公司獨家的增強型氮化鎵功率半導體元件的設計、與製造的核心技術，且這些創新技術專利已成功將氮化鎵的功率元件，從一個研究項目發展成為一個可大量生產的替代矽產品。此外，使用氮化鎵元件的電晶體和積體電路，相較於使用矽基元件更具效率、輕巧且成本更低。
