2018年，世界先進以Qromis基板技術（簡稱QST TM）進行8吋QST基板的0.35微米650 V GaN-on-QST製程開發，於今年第1季開發完成，於第4季成功量產，世界先進同時已和海內外整合元件製造（IDM）廠及IC設計公司展開合作。

 

QST基板相較於以矽（Si）作為基板，具有與氮化鎵磊晶層更匹配的熱膨脹係數（CTE），在製程中堆疊氮化鎵的同時，也能降低翹曲（warpage）破片，更有利於實現量產。

 

世界先進的0.35微米650 V GaN-on-QST製程能與公司既有的8吋矽晶圓機台設備在開發與生產上相互配合使用，以達最佳生產效率及良率。根據客戶端的系統驗證結果，世界先進提供的氮化鎵晶圓於快充市場的應用上，針對65W以上的快充產品，其系統效率已達世界領先的水準。

 

此外，基於QST基板的良好散熱特性，在整體快充方案效能上，世界先進提供的氮化鎵晶圓具有更優良的散熱表現。

世界先進公司營運長尉濟時表示：「世界先進公司身為特殊積體電路製造服務的領導廠商，不斷精進製程技術，以提供客戶最具效益的完整解決方案及高附加價值的服務。我們的0.35微米650 V GaN-on-QST製程具備效能及可靠性優勢，不僅提供客戶更優化的積體電路設計選擇，亦協助提升客戶產品的競爭力。」

 

世界先進0.35微米650 V GaN-on-QST製程除了650 V的元件選擇之外，也提供內建靜電保護元件（ESD），客戶得以更便利的進行設計選擇。而該製程除具備更優異的可靠性與信賴性，針對更高電壓（超過1,000 V）的擴充性，世界先進也已經與部分客戶展開合作，以滿足客戶的產品需求。