宜特指出，材料分析近期斬獲不斷，經過客戶端的實績驗證，宜特科技的材料分析能力已達2/3奈米製程節點，由於採24小時7天的全時運作，因此可以滿足客戶端的快速交貨需求。在樣品製備能量部分，宜特搭配多樣化的保護層前製備處理及降低試片損傷層的製備技術，已可讓半導體客戶取得高品質的TEM影像。

且隨著全球晶圓代工大廠在先進製程的推進與第三代半導體的運用，被視為微縮製程重點技術的GAA與將在功率、通訊元件大放異彩的新一代化合物半導體(第三代半導體)已成為產業焦點，分析服務需求也因此大增，

宜特進一步表示，GAA是半導體微縮製程的一部分，因此其架構大幅縮小，必須使用TEM(穿透式電子顯微鏡)材料分析閘極架構。而新世代化合物半導體(第三代半導體)的分析，就是整合不同元素的半導體，像是碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)等都是，這些不同元素疊合時的晶格匹配問題，會影響晶片的功函數與能帶，因此除了材料分析外，還必須利用表面分析技術掌握其狀況。

身為全球晶圓代工大廠與第三代半導體材料分析供應鏈的宜特科技，也大舉增加材料分析資本支出，今年的第一波新機台已經上線，近期還將有另一批來台，其中多台TEM與Dual beam FIB(雙束聚焦離子束)，在表面分析部分，之前添購的機台也將進駐，屆時將可為客戶提供充足產能，扮演半導體產業客戶的堅實後盾。

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